品玩4月13日讯，国内碳化硅器件研发企业“清纯半导体”日前发布国内首款15V驱动的1200V SiC Mosfet碳化硅器件平台产品，可直接实现SiC器件的国产替代，同时具备高可靠性、兼容IGBT驱动电压等优势，填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品空白。据悉，首款1200V 75mΩ SiC Mosfet已获得国内领先新能源逆变器制造商的批量订单，后续将陆续推出该平台下的系列规格产品。
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品玩4月13日讯，国内碳化硅器件研发企业“清纯半导体”日前发布国内首款15V驱动的1200V SiC Mosfet碳化硅器件平台产品，可直接实现SiC器件的国产替代，同时具备高可靠性、兼容IGBT驱动电压等优势，填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品空白。据悉，首款1200V 75mΩ SiC Mosfet已获得国内领先新能源逆变器制造商的批量订单，后续将陆续推出该平台下的系列规格产品。
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